Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB60R299CPAATMA1
Herstellerteilenummer | IPB60R299CPAATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R299CPAATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPB60R299CPAATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R299CPAATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R299CPAATMA1-FT |
IPB09N03LA
Infineon Technologies
IPB09N03LA G
Infineon Technologies
IPB09N03LAT
Infineon Technologies
IPB100N04S204ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
IPB100N06S205ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S2L05ATMA2
Infineon Technologies
IPB100N06S3-03
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel