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Herstellerteilenummer | IPB60R600CPATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB60R600CPATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPB60R600CPATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R600CPATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB60R600CPATMA1-FT |
IPB100N06S3-03
Infineon Technologies
IPB100N06S3-04
Infineon Technologies
IPB100N06S3L-03
Infineon Technologies
IPB100N06S3L-04
Infineon Technologies
IPB100N08S207ATMA1
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IPB100N08S2L07ATMA1
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IPB100N10S305ATMA1
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IPB100N12S305ATMA1
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IPB107N20N3GATMA1
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IPB107N20NAATMA1
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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