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Herstellerteilenummer | IPB65R150CFDATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPB65R150CFDATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPB65R150CFDATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 195.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB65R150CFDATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB65R150CFDATMA1-FT |
IPB120N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S3-02
Infineon Technologies
IPB120N04S404ATMA1
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IPB120N04S4L02ATMA1
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IPB120N06N G
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IPB120N06S402ATMA1
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IPB120N06S402ATMA2
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IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2
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IPB120N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel