Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB70N04S406ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB70N04S406ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB70N04S406ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB70N04S406ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 26µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 58W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB70N04S406ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB70N04S406ATMA1-FT |
IPB136N08N3 G
Infineon Technologies
IPB13N03LB
Infineon Technologies
IPB13N03LB G
Infineon Technologies
IPB147N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB14N03LA
Infineon Technologies
IPB14N03LA G
Infineon Technologies
IPB14N03LAT
Infineon Technologies
IPB156N22NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB16CN10N G
Infineon Technologies
IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel