Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPB77N06S212ATMA1
Herstellerteilenummer | IPB77N06S212ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPB77N06S212ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPB77N06S212ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 77A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 158W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB77N06S212ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPB77N06S212ATMA1-FT |
IPB14N03LA
Infineon Technologies
IPB14N03LA G
Infineon Technologies
IPB14N03LAT
Infineon Technologies
IPB156N22NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB16CN10N G
Infineon Technologies
IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
IPB200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB200N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB22N03S4L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel