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Infineon Technologies IPB80N06S2L09ATMA1

Name: IPB80N06S2L09ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2L09ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (352 reviews)

MFG-Teilenummer: IPB80N06S2L09ATMA1

verfügbare Anzahl: 75840 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPB80N06S2L09ATMA1.pdf

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IPB80N06S2L09ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPB80N06S2L09ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPB80N06S2L09ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPB80N06S2L09ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 125µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2620pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB80N06S2L09ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPB80N06S2L09ATMA1-FT

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