Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPC014N03L3X1SA1
Herstellerteilenummer | IPC014N03L3X1SA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPC014N03L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPC014N03L3X1SA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Sawn on foil |
Paket / fall | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC014N03L3X1SA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPC014N03L3X1SA1-FT |
FDMC7692_F126
ON Semiconductor
FDMJ1027P
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FDR6580
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
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LFXP2-5E-6MN132I
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10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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