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Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1

Name: IPC100N04S51R2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R2ATMA1
Price: 0.863376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (375 reviews)

MFG-Teilenummer: IPC100N04S51R2ATMA1

verfügbare Anzahl: 73720 Stücke

Referenzpreis: USD 0.863376

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPC100N04S51R2ATMA1.pdf

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IPC100N04S51R2ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPC100N04S51R2ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPC100N04S51R2ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPC100N04S51R2ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	131nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7650pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-34
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC100N04S51R2ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPC100N04S51R2ATMA1-FT

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