Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD033N06NATMA1
Herstellerteilenummer | IPD033N06NATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPD033N06NATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD033N06NATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD033N06NATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD033N06NATMA1-FT |
IPB06P001LATMA1
Infineon Technologies
IPB35N12S3L26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel