Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD046N08N5ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD046N08N5ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD046N08N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD046N08N5ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD046N08N5ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD046N08N5ATMA1-FT |
IPB35N12S3L26ATMA1
Infineon Technologies
IPB50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N07S405ATMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel