Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD050N10N5ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD050N10N5ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD050N10N5ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD050N10N5ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 84µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD050N10N5ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD050N10N5ATMA1-FT |
IPB50N12S3L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R110CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB65R310CFDATMA2
Infineon Technologies
IPB70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N07S405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80R290C3AATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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5CGXFC9E7F35C8N
Intel