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Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1

MFG-Teilenummer
IPD079N06L3GBTMA1
verfügbare Anzahl
19590 Stücke
Referenzpreis
USD 0.3542
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPD079N06L3GBTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD079N06L3GBTMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPD079N06L3GBTMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPD079N06L3GBTMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 34µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD079N06L3GBTMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD079N06L3GBTMA1-FT

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