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Infineon Technologies IPD100N06S403ATMA2

MFG-Teilenummer
IPD100N06S403ATMA2
verfügbare Anzahl
23150 Stücke
Referenzpreis
USD 0.7324
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPD100N06S403ATMA2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD100N06S403ATMA2
Zukünftige Teilenummer FT-IPD100N06S403ATMA2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPD100N06S403ATMA2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD100N06S403ATMA2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD100N06S403ATMA2-FT

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