Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD16CNE8N G
Herstellerteilenummer | IPD16CNE8N G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD16CNE8N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD16CNE8N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 85V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 53A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD16CNE8N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD16CNE8N G-FT |
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
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IPD135N03LGATMA1
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IPD60R380P6ATMA1
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IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel