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Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1

Name: IPD35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N10S3L26ATMA1
Price: 0.37712 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (34 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD35N10S3L26ATMA1

verfügbare Anzahl: 13430 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

IPD35N10S3L26ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD35N10S3L26ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD35N10S3L26ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPD35N10S3L26ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 39µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	71W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3-11
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD35N10S3L26ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD35N10S3L26ATMA1-FT

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