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Infineon Technologies IPD50R1K4CEAUMA1

MFG-Teilenummer
IPD50R1K4CEAUMA1
verfügbare Anzahl
77450 Stücke
Referenzpreis
USD 0.15304
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPD50R1K4CEAUMA1.pdf
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IPD50R1K4CEAUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD50R1K4CEAUMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPD50R1K4CEAUMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPD50R1K4CEAUMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 178pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD50R1K4CEAUMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD50R1K4CEAUMA1-FT

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