Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD50R280CEBTMA1
Herstellerteilenummer | IPD50R280CEBTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD50R280CEBTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPD50R280CEBTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 773pF @ 100V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 92W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50R280CEBTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD50R280CEBTMA1-FT |
IPD05N03LA G
Infineon Technologies
IPD05N03LB G
Infineon Technologies
IPD060N03LGATMA1
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IPD060N03LGBTMA1
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IPD068N10N3GBTMA1
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IPD068P03L3GBTMA1
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IPD06N03LA G
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IPD06N03LB G
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IPD075N03LGATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel