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Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1

Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1
Price: 0.430584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (505 reviews)

MFG-Teilenummer: IPD60N10S4L12ATMA1

verfügbare Anzahl: 15030 Stücke

Referenzpreis: USD 0.430584

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N-CH TO252-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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IPD60N10S4L12ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPD60N10S4L12ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
IPD60N10S4L12ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 46µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3170pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3-313
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60N10S4L12ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPD60N10S4L12ATMA1-FT

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