Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD60R2K1CEBTMA1
Herstellerteilenummer | IPD60R2K1CEBTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD60R2K1CEBTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPD60R2K1CEBTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 760mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 22W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R2K1CEBTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD60R2K1CEBTMA1-FT |
IRL3715ZL
Infineon Technologies
IRL3715ZLPBF
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Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
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