Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD60R600E6ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD60R600E6ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD60R600E6ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ E6 |
IPD60R600E6ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R600E6ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD60R600E6ATMA1-FT |
IPD20N03L
Infineon Technologies
IPD20N03L G
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IPD220N06L3GBTMA1
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IPD22N08S2L50ATMA1
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IPD230N06NGBTMA1
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IPD25N06S240ATMA2
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XC4005E-2TQ144I
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M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation