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Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1

MFG-Teilenummer
IPD80R2K8CEATMA1
verfügbare Anzahl
73780 Stücke
Referenzpreis
USD 0.37728
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPD80R2K8CEATMA1.pdf
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IPD80R2K8CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPD80R2K8CEATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPD80R2K8CEATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPD80R2K8CEATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD80R2K8CEATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPD80R2K8CEATMA1-FT

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