Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD80R2K8CEATMA1
Herstellerteilenummer | IPD80R2K8CEATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD80R2K8CEATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ CE |
IPD80R2K8CEATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD80R2K8CEATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD80R2K8CEATMA1-FT |
IXFP34N65X2M
IXYS
IXFP8N85XM
IXYS
IXTP14N60PM
IXYS
IXTP230N04T4M
IXYS
IXTP24N65X2M
IXYS
IXTP4N70X2M
IXYS
IXTP50N20PM
IXYS
IXTP8N70X2M
IXYS
IXFP5N100PM
IXYS
IXTP18N60PM
IXYS
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel