Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPD90N06S405ATMA1
Herstellerteilenummer | IPD90N06S405ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPD90N06S405ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPD90N06S405ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD90N06S405ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPD90N06S405ATMA1-FT |
IPD50R500CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD50R500CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R520CP
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IPD50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R650CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPD50R950CEBTMA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel