Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPDD60R050G7XTMA1
Herstellerteilenummer | IPDD60R050G7XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPDD60R050G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ G7 |
IPDD60R050G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
Paket / fall | 10-PowerSOP Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDD60R050G7XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPDD60R050G7XTMA1-FT |
IPS70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS65R950C6AKMA1
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IPS050N03LGAKMA1
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IPS05N03LA G
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XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
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EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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