Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPDD60R080G7XTMA1
Herstellerteilenummer | IPDD60R080G7XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPDD60R080G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ G7 |
IPDD60R080G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 174W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
Paket / fall | 10-PowerSOP Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDD60R080G7XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPDD60R080G7XTMA1-FT |
IPS031N03L G
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