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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

MFG-Teilenummer
IPDD60R102G7XTMA1
verfügbare Anzahl
78800 Stücke
Referenzpreis
USD 2.369504
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPDD60R102G7XTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPDD60R102G7XTMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPDD60R102G7XTMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 400V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 139W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-HDSOP-10-1
Paket / fall 10-PowerSOP Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPDD60R102G7XTMA1-FT

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