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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

Name: IPDD60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R102G7XTMA1
Price: 2.369504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (758 reviews)

MFG-Teilenummer: IPDD60R102G7XTMA1

verfügbare Anzahl: 78800 Stücke

Referenzpreis: USD 2.369504

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPDD60R102G7XTMA1.pdf

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IPDD60R102G7XTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPDD60R102G7XTMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPDD60R102G7XTMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	139W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HDSOP-10-1
Paket / fall	10-PowerSOP Module
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPDD60R102G7XTMA1-FT

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