Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPDD60R125G7XTMA1
Herstellerteilenummer | IPDD60R125G7XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPDD60R125G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ G7 |
IPDD60R125G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 6.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 120W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
Paket / fall | 10-PowerSOP Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDD60R125G7XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPDD60R125G7XTMA1-FT |
IPS03N03LB G
Infineon Technologies
IPS040N03LGBKMA1
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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EP2AGX45DF25I5
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation