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Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1

MFG-Teilenummer
IPG16N10S4L61AATMA1
verfügbare Anzahl
77190 Stücke
Referenzpreis
USD 0.32724
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPG16N10S4L61AATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPG16N10S4L61AATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPG16N10S4L61AATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG16N10S4L61AATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 845pF @ 25V
Leistung max 29W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerVDFN
Supplier Device Package PG-TDSON-8-10
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG16N10S4L61AATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPG16N10S4L61AATMA1-FT

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