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Infineon Technologies IPG20N06S2L35ATMA1
- MFG-Teilenummer
- IPG20N06S2L35ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 34400 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.423336
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPG20N06S2L35ATMA1.pdf
IPG20N06S2L35ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPG20N06S2L35ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPG20N06S2L35ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| IPG20N06S2L35ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Leistung max | 65W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPG20N06S2L35ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPG20N06S2L35ATMA1-FT |
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