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Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1

Name: IPG20N06S4L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S4L26ATMA1
Price: 0.323848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (410 reviews)

MFG-Teilenummer: IPG20N06S4L26ATMA1

verfügbare Anzahl: 44540 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPG20N06S4L26ATMA1.pdf

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IPG20N06S4L26ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPG20N06S4L26ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPG20N06S4L26ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPG20N06S4L26ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1430pF @ 25V
Leistung max	33W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-4
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N06S4L26ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPG20N06S4L26ATMA1-FT

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