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Infineon Technologies IPG20N10S4L22AATMA1

Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1
Price: 0.644304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (677 reviews)

MFG-Teilenummer: IPG20N10S4L22AATMA1

verfügbare Anzahl: 40650 Stücke

Referenzpreis: USD 0.644304

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPG20N10S4L22AATMA1.pdf

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IPG20N10S4L22AATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPG20N10S4L22AATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPG20N10S4L22AATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPG20N10S4L22AATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1755pF @ 25V
Leistung max	60W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-10
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L22AATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPG20N10S4L22AATMA1-FT

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