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Infineon Technologies IPG20N10S4L22ATMA1

MFG-Teilenummer
IPG20N10S4L22ATMA1
verfügbare Anzahl
46360 Stücke
Referenzpreis
USD 0.616616
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPG20N10S4L22ATMA1.pdf
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IPG20N10S4L22ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPG20N10S4L22ATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPG20N10S4L22ATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L22ATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V
Leistung max 60W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-PowerVDFN
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L22ATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPG20N10S4L22ATMA1-FT

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