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Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1

Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1
Price: 0.377808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (602 reviews)

MFG-Teilenummer: IPG20N10S4L35ATMA1

verfügbare Anzahl: 52200 Stücke

Referenzpreis: USD 0.377808

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 8TDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPG20N10S4L35ATMA1.pdf

IPG20N10S4L35ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPG20N10S4L35ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPG20N10S4L35ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPG20N10S4L35ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
Leistung max	43W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-PowerVDFN
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-4
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N10S4L35ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPG20N10S4L35ATMA1-FT

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