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Infineon Technologies IPI023NE7N3 G

Name: IPI023NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI023NE7N3 G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (669 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI023NE7N3 G

verfügbare Anzahl: 42110 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI023NE7N3 G.pdf

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IPI023NE7N3 G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI023NE7N3 G
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI023NE7N3 G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPI023NE7N3 G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 37.5V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI023NE7N3 G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI023NE7N3 G-FT

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