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Infineon Technologies IPI024N06N3GHKSA1

Name: IPI024N06N3GHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI024N06N3GHKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (142 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI024N06N3GHKSA1

verfügbare Anzahl: 47770 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI024N06N3GHKSA1.pdf

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IPI024N06N3GHKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI024N06N3GHKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI024N06N3GHKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPI024N06N3GHKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 196µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	275nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI024N06N3GHKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI024N06N3GHKSA1-FT

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