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Infineon Technologies IPI029N06NAKSA1

Name: IPI029N06NAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI029N06NAKSA1
Price: 1.688 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (130 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI029N06NAKSA1

verfügbare Anzahl: 55910 Stücke

Referenzpreis: USD 1.688

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI029N06NAKSA1.pdf

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IPI029N06NAKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI029N06NAKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI029N06NAKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPI029N06NAKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI029N06NAKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI029N06NAKSA1-FT

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