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Infineon Technologies IPI037N08N3GHKSA1

MFG-Teilenummer
IPI037N08N3GHKSA1
verfügbare Anzahl
35500 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPI037N08N3GHKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPI037N08N3GHKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPI037N08N3GHKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPI037N08N3GHKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO262-3
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI037N08N3GHKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPI037N08N3GHKSA1-FT

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