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Infineon Technologies IPI037N08N3GHKSA1

Name: IPI037N08N3GHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI037N08N3GHKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (82 reviews)

MFG-Teilenummer: IPI037N08N3GHKSA1

verfügbare Anzahl: 35500 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPI037N08N3GHKSA1.pdf

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IPI037N08N3GHKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPI037N08N3GHKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPI037N08N3GHKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPI037N08N3GHKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 155µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8110pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI037N08N3GHKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPI037N08N3GHKSA1-FT

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