Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPI80N04S306AKSA1
Herstellerteilenummer | IPI80N04S306AKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPI80N04S306AKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPI80N04S306AKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N04S306AKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPI80N04S306AKSA1-FT |
IPI04CN10N G
Infineon Technologies
IPI04N03LA
Infineon Technologies
IPI052NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI057N08N3 G
Infineon Technologies
IPI05CN10N G
Infineon Technologies
IPI05N03LA
Infineon Technologies
IPI06CN10N G
Infineon Technologies
IPI06N03LA
Infineon Technologies
IPI070N06N G
Infineon Technologies
IPI070N08N3 G
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.