Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPI80N04S306AKSA1
Herstellerteilenummer | IPI80N04S306AKSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPI80N04S306AKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPI80N04S306AKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 52µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N04S306AKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPI80N04S306AKSA1-FT |
IPI04CN10N G
Infineon Technologies
IPI04N03LA
Infineon Technologies
IPI052NE7N3 G
Infineon Technologies
IPI057N08N3 G
Infineon Technologies
IPI05CN10N G
Infineon Technologies
IPI05N03LA
Infineon Technologies
IPI06CN10N G
Infineon Technologies
IPI06N03LA
Infineon Technologies
IPI070N06N G
Infineon Technologies
IPI070N08N3 G
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation