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Infineon Technologies IPL65R650C6SATMA1

MFG-Teilenummer
IPL65R650C6SATMA1
verfügbare Anzahl
24000 Stücke
Referenzpreis
USD 0.570456
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPL65R650C6SATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPL65R650C6SATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPL65R650C6SATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ C6
IPL65R650C6SATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package Thin-PAK (5x6)
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL65R650C6SATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPL65R650C6SATMA1-FT

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