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Infineon Technologies IPN50R800CEATMA1

Name: IPN50R800CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN50R800CEATMA1
Price: 0.218152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (80 reviews)

MFG-Teilenummer: IPN50R800CEATMA1

verfügbare Anzahl: 38550 Stücke

Referenzpreis: USD 0.218152

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ CE CONSUMER

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPN50R800CEATMA1.pdf

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IPN50R800CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPN50R800CEATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPN50R800CEATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ CE
IPN50R800CEATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223
Paket / fall	TO-261-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN50R800CEATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPN50R800CEATMA1-FT

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