Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPN70R1K0CEATMA1
Herstellerteilenummer | IPN70R1K0CEATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPN70R1K0CEATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IPN70R1K0CEATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 750V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223 |
Paket / fall | TO-261-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN70R1K0CEATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPN70R1K0CEATMA1-FT |
IPC60R190E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R190P6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R199CPX1SA1
Infineon Technologies
IPC60R280E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
IPC60R280E6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R280E6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R299CPX1SA2
Infineon Technologies
IPC60R2K0C6X1SA1
Infineon Technologies
IPC60R380C6X7SA1
Infineon Technologies
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel