Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPN80R1K2P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPN80R1K2P7ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPN80R1K2P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPN80R1K2P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 6.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223 |
Paket / fall | TO-261-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R1K2P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPN80R1K2P7ATMA1-FT |
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel