Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPN80R1K2P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPN80R1K2P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPN80R1K2P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPN80R1K2P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 6.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223 |
Paket / fall | TO-261-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R1K2P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPN80R1K2P7ATMA1-FT |
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
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IPL60R125C7AUMA1
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LFXP3C-4T144I
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5CGXFC7B6M15I7N
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation