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Infineon Technologies IPN80R2K0P7ATMA1

Name: IPN80R2K0P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R2K0P7ATMA1
Price: 0.327584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (750 reviews)

MFG-Teilenummer: IPN80R2K0P7ATMA1

verfügbare Anzahl: 48460 Stücke

Referenzpreis: USD 0.327584

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPN80R2K0P7ATMA1.pdf

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IPN80R2K0P7ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPN80R2K0P7ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPN80R2K0P7ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ P7
IPN80R2K0P7ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 500V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223
Paket / fall	TO-261-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN80R2K0P7ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPN80R2K0P7ATMA1-FT

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