Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPN80R600P7ATMA1
Herstellerteilenummer | IPN80R600P7ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPN80R600P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPN80R600P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 500V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 7.4W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-SOT223 |
Paket / fall | TO-261-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN80R600P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPN80R600P7ATMA1-FT |
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
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IPL60R255P6AUMA1
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IPL60R285P7AUMA1
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IPL65R130C7AUMA1
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IPL65R165CFDAUMA1
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EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
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M1AFS600-2FG256I
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
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EP1S60F1020C5N
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