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Infineon Technologies IPP037N06L3GXKSA1

MFG-Teilenummer
IPP037N06L3GXKSA1
verfügbare Anzahl
63690 Stücke
Referenzpreis
USD 1.464
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPP037N06L3GXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPP037N06L3GXKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPP037N06L3GXKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPP037N06L3GXKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP037N06L3GXKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPP037N06L3GXKSA1-FT

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