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Infineon Technologies IPP052NE7N3GHKSA1

Name: IPP052NE7N3GHKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP052NE7N3GHKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (168 reviews)

MFG-Teilenummer: IPP052NE7N3GHKSA1

verfügbare Anzahl: 65910 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPP052NE7N3GHKSA1.pdf

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IPP052NE7N3GHKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPP052NE7N3GHKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPP052NE7N3GHKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
IPP052NE7N3GHKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 37.5V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP052NE7N3GHKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPP052NE7N3GHKSA1-FT

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