Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP065N04N G
Herstellerteilenummer | IPP065N04N G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPP065N04N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP065N04N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 68W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP065N04N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP065N04N G-FT |
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP039N04LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IRF135B203
Infineon Technologies
IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP055N03LGXKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel