Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP06CN10N G
Herstellerteilenummer | IPP06CN10N G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPP06CN10N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP06CN10N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9200pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP06CN10N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP06CN10N G-FT |
IPP039N04LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IRF135B203
Infineon Technologies
IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP034NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP055N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP114N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP076N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation