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Infineon Technologies IPP06CNE8N G

MFG-Teilenummer
IPP06CNE8N G
verfügbare Anzahl
21040 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPP06CNE8N G Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPP06CNE8N G
Zukünftige Teilenummer FT-IPP06CNE8N G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPP06CNE8N G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9240pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP06CNE8N G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPP06CNE8N G-FT

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