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Infineon Technologies IPP086N10N3GXKSA1

MFG-Teilenummer
IPP086N10N3GXKSA1
verfügbare Anzahl
67540 Stücke
Referenzpreis
USD 1.48
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPP086N10N3GXKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPP086N10N3GXKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPP086N10N3GXKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
IPP086N10N3GXKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP086N10N3GXKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPP086N10N3GXKSA1-FT

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