Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP600N25N3GXKSA1
Herstellerteilenummer | IPP600N25N3GXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP600N25N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP600N25N3GXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP600N25N3GXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP600N25N3GXKSA1-FT |
IPP070N06L G
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IPP070N06N G
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IPP070N08N3 G
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IPP072N10N3GHKSA1
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IPP075N15N3GHKSA1
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IPP080N03L G
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IPP080N06N G
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IPP084N06L3GHKSA1
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IPP084N06L3GXKSA1
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